Características Técnicas
Tipo: MOSFET Canal N
Tensão máxima Drain-Source (Vds): 900 V
Corrente máxima (Id): 5 A
Potência dissipada (Pd): até 150 W
Resistência Rds(on): aproximadamente 2.5 Ω
Tensão Gate-Source (Vgs): ±30 V
Encapsulamento: TO-3P / TO-247
Tecnologia: Alta eficiência para fontes switching (SMPS)
Aplicações
Fontes de alimentação de televisores
Fontes switching (SMPS)
Equipamentos eletrónicos de potência
Inversores e controladores de energia
Equipamento industrial





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